パワーデバイスのトータルソリューションサービス製品カタログ | カタログ

関連情報

■電流パルス印加法（JEDEC・JEITA・AEC）
■電源過電圧法（JEDEC・JEITA・AEC）
■電圧パルス印加法（AEC）
■ESDパルス印加法（参考試験）
■ラッチアップ判定法（JEDEC方式・電流定義方式）
■試験前後の保護ダイオード特性測定にも対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。

＊VCC電源搭載数：4台（100V/0.5A：1台、50V/1A：3台）
　　　　　　　　　多電源デバイスの対応が可能
＊電源過電圧法の最大電圧：150V（VCC電圧＋VTパルス電圧⇒最大150V）

ESD（CDM）試験受託サービス

■印加電圧0Vから±4000Vまで、5Vステップ
■最大 1024ピンまで対応します。
■プローブ移動精度：0.1mm
■印加ユニット：JEDEC（JESD22-C101F）、JEITA、EIAJ、AEC
■チャージ法
　FI-CDM：電界誘導法（JEDEC・AEC）
　D-CDM：直接チャージ法（JEITA・EIAJ・AEC）

☆車載向け電子部品規格：AEC-Q100-011の試験サービスを開始
　AEC規格のField Induced CDM（FI-CDM）試験対応が可能です。
　AEC規格のDirect CDM(D-CDM)試験対応が可能です。

ESD（HBM・MM）試験受託サービス

■HBM試験（C=100pF、R=1.5kΩ）
　±5～±4500V（Step：5V）
■MM試験（C=200pF、R=0Ω）
　±5～±2000V（Step：5V）
■単一印加、ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等
　多様な印加条件に対応します。
■破壊判定方法は、保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、
　VoL/VoH特性評価、電源ピンの特性評価の4種類に対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。

信頼性保証サービスのご紹介

■高度加速寿命試験
　内寸（最大）　Φ545×L550mm
　温湿度範囲　+105～162.2℃/75～100%RH

■冷熱衝撃試験
　内寸（最大）　W970×H460×D670mm
　温度範囲　-65℃～0℃/+60℃～200℃

■恒温恒湿試験
　内寸（最大）　W1000×H1000×D720mm
　温湿度範囲　-70℃～+150℃/20～98%RH

■液槽冷熱衝撃試験
　試料カゴ（最大）　W320×H240×D320mm
　耐荷重（最大）　10kg
　温度範囲　-65℃～0℃/+60℃～150℃

実装部品接合部の解析

■基板接合部機械研磨
　＋化学エッチング
　＋イオンミリング
　光学顕微鏡、SEMによる観察

■FIBによる断面作成
　SEMによる観察

TEMによる電子部品・材料の解析

■エミッション発光にて特定した故障部位は
　FIBにより薄片化しながら観察します。

■電子の透過力の大きい加速電圧400kVのTEMにて
　故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とFIB加工を繰り返し
　最適な像を得ることができます。

■TEM像倍率をあらかじめ校正しておき
　2%以下の誤差で測長することもできます。

パワーデバイスの故障解析

・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨
　Siチップサイズ：200um～15mm

・IR-OBIRCH解析：　～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応
　　　　　　　　　感度：数十pA
　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角

・エミッション解析：　～2kV　まで対応
　　　　　　　　　　感度：数nA
　　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角

・特定位置精度：　±0.3um、試料厚1.5um～0.1um

・機械研磨SEM観察：　大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察

・拡散層観察：　TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
　　　　　　　構造により前処理が必要な場合あり

・FIB-SEM観察：　クラック・形状異常・拡散層観察（～×50k）

・断面TEM観察：　ゲート酸化膜の破壊・転位（～400k）
　

ESD/ラッチアップ試験受託サービス

半導体デバイスやそれを含む電子部品の信頼性として重要な、ESD破壊およびラッチアップによる破壊に対する耐性を評価する試験サービスを提供します。

■ 512ピンまでのICモジュール、電子部品、サブシステムなどの製品に対応します。
■ JEDEC、EIAJ、ESDAなどの規格に準拠した試験を提供します。
■ お客様のご要望や目的にあった試験をご提案、実施します。
■ 万一耐性に問題があった場合は、故障解析/原因究明から問題解決までのお手伝いをします。

クロスビームFIBによる断面観察

半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど
ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を
クロスビームFIBによる断面観察で行います。

１）FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。
２）2つの二次電子検出器（In-Lens/チャンバーSE）により試料から様々な情報が得られます。
３）加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。
４）拡散層：PN界面の可視化が可能。N+/N-及びP+/P-の濃度差は検出不可。

In-Situ常時測定信頼性評価試験サービス

In-Situ常時測定信頼性評価試験では、特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。

●正確な故障時間の把握が可能
　決まった時間にストレス環境より取り出して測定するリードアウト方式では、リードアウトのタイミングでしか故障の把握ができず、正確な故障発生時間を知ることはできません。
　In-Situ測定では、正確な故障時間の把握ができます。
●回復性故障の検出が可能
　回復性故障は市場において重大な問題を引き起こすことがあります。
　リードアウト方式ではこれら回復性故障の検出がほとんどの場合不可能ですが、In-Situ測定では回復性故障の検出が可能であり、正確な判断/判定ができます。
●試料へのストレス印加状態の監視が可能
　ストレス印加状況および測定データをリアルタイムで確認できます。

品質技術トータルソリューション

電子部品の企画・設計・開発段階から、量産、出荷後に至るまで、あらゆるフェーズで発生する品質問題に、長く培われた技術と経験をもとにスピーディーで的確なソリューションを提供します。

パワーデバイスのトータルソリューションサービス

■パワーデバイスの信頼性試験
・パワーサイクル試験
　定電流600A　max.(Vce=10V)
　同時に熱抵抗測定も可能
・180℃対応　液槽熱衝撃試験
　温度範囲　-65℃～150℃、-40℃～180℃
　液媒体　Galden D02TS/D03
　試料かご（最大）　W320ｘH240ｘD320(mm）
・パワーデバイスアナライザによる特性評価
　最大電圧　3000V、最大電流　20A
　小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応
・絶縁性評価イオンマイグレーション試験
　高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施
　パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験
・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験
　高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター
　チャネル数　120チャネル
■パワーデバイスの分析・解析
・パワーチップの故障解析
・はんだ接合部の解析
・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察
・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察

海外製部品・製品評価サービス

■信頼性試験
・温度サイクル試験
・冷熱衝撃試験
・高温高湿バイアス試験
・高温保存試験
・高度加速寿命試験
・プリコンディション
・ホットオイル試験
・In-situ常時測定
・イオンマイグレーション試験
・エレクトロマイグレーション試験

■評価試験
・接合強度試験
　プル/シェア試験
・機械的強度試験
　振動・衝撃試験、落下試験、圧縮強度・ズレ強度
・ESD/Latch Up/CDM試験
・はんだ濡れ性試験
・電気特性計測
・塩水噴霧試験
・X線透過観察
・SAT（超音波顕微鏡）観察

sMIMによる半導体拡散層の解析

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

AFM（原子間力顕微鏡）

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ICの不良解析

【発光解析/OBIRCH解析　特長】
■発光/OBIRCH解析によりリーク箇所、あるいは関係しているネットを特定
■Layout Viewerによるレイアウト確認が可能
■カスタマイズされた装置により、様々なサンプルの解析に対応できる

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パワー半導体の解析サービス

【故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応】
■裏面発光/ OBIRCH解析による故障箇所特定
■故障箇所への高精度位置特定、FIB加工
■不良箇所のFIB/LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価
■TEM観察による結晶構造観察、元素分析

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パワーデバイスのHAST試験

【仕様】
　試験電圧：最大DC1000Vまで印加可能 (正極コモン･保護抵抗110kΩ)
　試験数量：最大30個 (正極側)
　対応モジュール：TO-247､TO-220 等 (その他のパッケージは要相談：ソケット調達可)
　測定内容：漏れ電流のモニタリング
　試験装置：温度制御範囲 105.0℃～142.9℃ 湿度制御範囲 75%RH～100%RH
　　　　　　圧力範囲 0.020～0.196MPa（ゲージ圧）

【試験条件例】
　JESD22-A110E　､　 JEITA ED-4701-100A(試験方法302A)　等

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電子部品の信頼性試験・分析・解析を一気通貫で対応します！

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短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

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SiCデバイスの裏面発光解析

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LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

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FIB-SEMによる半導体の拡散層観察

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高温ラッチアップ試験

【仕様】
■温度範囲：50℃～150℃
■加熱方式：温風による加熱
　（フィクスチャボード上のソケット･デバイス等を熱風発生器で加温）
■制御方法：デバイス付近にセンサーを設置し温度調節器で制御（温度センサ：Pt100）
　事前確認としてデバイス表面温度を測定し、ヒーターの出力値を調整
■試験装置： ESD／ラッチアップテスタ M7000A-512EL
■装置仕様： VCC電源搭載数4台（VCC1：100V／0.5A、VCC2～VCC4：50V／1A）
　電源過電圧印加法のVCC電圧＋VTパルス電圧は、最大150Vまで設定可能

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メルトフローレイト（MFR）測定評価サービス

【装置仕様】
■温度範囲：100-350℃（精度±0.2℃）

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超音波顕微鏡『SAM』

【その他の仕様】
■最大測定範囲：314mm×314mm　最小ピッチ：0.5μm
■画像取得数(1スキャン)：100枚(ゲート)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

冷熱衝撃試験

【冷熱衝撃試験規格の例】
■JESD 22-A104 TEMPERATURE CYCLING
■IEC 60749-25 Temperature cycle
■EIAJ ED-4701/100 method 105 Temperature cycle
■MIL STD-883 1010.8 TEMPERATURE CYCLING
■その他、様々な試験規格で規定

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

液槽冷熱衝撃試験

【装置の仕様】
■温度範囲
　・低温側温度：-40℃～0℃
　・高温側温度：60℃～180℃
　・使用液体：Galden D03
■試料カゴサイズ
　・内法：W190mm×H240mm×D360mm
　・耐荷重：10Kg

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

パワーデバイスの逆バイアス試験（最大2000V）

【仕様・サービス内容】
■試験電圧：最大DC2000Vまで印加可能
■印加電流：最大14mA
■試験数量：最大8個（電源独立）
■対応モジュール：TO-247､TO-220 等（その他のパッケージは接続方法など要相談）
■測定内容：リーク電流のモニタリング
■温度範囲：最大200℃（高温高湿の場合85℃/85％）

ディスクリート半導体のIOL試験

※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

パワーデバイス故障箇所・Slice＆View 三次元再構築

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