シンプルな機構で高密度プラズマを実現。ウェハから１ｍ□基板まで対応。Ｓｉ系、メタル、有機膜、各種薄膜のダメージレスエッチング
従来型の容量結合型プラズマエッチング装置にくらべ一桁高い密度のプラズマを実現。高周波アンテナや磁石を使用せず、電極構造のみの工夫によって高精度エッチングが可能。従来型のエッチング装置（CCP型・ICP型）とのハード上の互換性も高く低コスト・高い信頼、稼働率の実現に寄与。
ウェハレベルの基板だけでなく大型基板のエッチングにも対応可能
基板の大型化にスムースに対応可能な新型高密度プラズマエッチング装置
シンプルな構造の高密度プラズマエッチング装置。大口径化が容易で２００ｍｍ以上のウェハやＡ４サイズの矩形基板の処理に適しています。
基板サイズは１ｍ□程度を想定しており、中小型ディスプレイパネル、大型フォトマスクのエッチング、アッシングおよび高密度プリント基板のクリーニング、ディスカム、親水化処理などの各種工程に対応しています。
基板サイズは１ｍ□程度を想定しており、中小型ディスプレイパネル、大型フォトマスクのエッチング、アッシングおよび高密度プリント基板のクリーニング、ディスカム、親水化処理などの各種工程に対応しています。
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２００ｍｍ以上のウェハのエッチング Ｓｉ Ｓｉ窒化膜・酸化膜 金属膜 有機膜 フォトレジスト除去 フォトマスクエッチング 大型高密度プリント基板ディスカム・クリーニング・親水化処理 |
関連ダウンロード
HCD型高密度プラズマエッチング装置
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神港精機株式会社 東京支店
