緻密で耐摩耗性と耐酸化性に優れたSiC(シリコンカーバイド)膜をPVDで形成。新型イオンプレーティング法で厚膜(7μm)形成
新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により従来に無かったPVD法による」SiC成膜を実現。
400℃以下の低温で緻密で耐摩耗性・耐酸化性に優れたSiC膜を形成可能とした新成膜技術を採用。
個体シリコンを出発材料としたイオンプレーティング法のためシンプルで環境負荷の少ないクリーンなプロセスを実現。
膜厚や膜質の制御性も高くCVDに比べ、排ガス処理・メンテナンス性・設置面積・ランニングコストの全てに優れた新成膜装置
電子銃による個体シリコンの蒸着を基本としたイオンプレーティング装置。
高密度のプラズマを形成できるシンプルなイオン化機構によりシリコン上記と反応ガスとのリアクティブプロセスを実現。
基板の形状や成膜の目的に合わせて基板設置方法や治具も専用設計。
立体形状基板の全面成膜やマスク成膜も可能。
クリーンで操作容易な全自動イオンプレーティング装置。
高密度のプラズマを形成できるシンプルなイオン化機構によりシリコン上記と反応ガスとのリアクティブプロセスを実現。
基板の形状や成膜の目的に合わせて基板設置方法や治具も専用設計。
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クリーンで操作容易な全自動イオンプレーティング装置。
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精密金型コーティング。 レンズ金型コーティング 半導体用治具コーティング 半導体製造装置部品コーティング 治工具コーティング |
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SiCコーティング装置(AF-IP装置)
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神港精機株式会社 東京支店