両面成膜・端面成膜・コンパクト・大量バッチ処理。基板の自公転機構が蒸着面の制御を可能に。水晶振動子、薄膜抵抗に独自プロセスを提供
小型基板や小径ウェハの両面成膜、セラミック基板の端面成膜、マスク成膜に最適な独自基板機構を装備。
小型チャンバで大きな処理量を持つ標準横型蒸着装置。
蒸発源・加熱温度・排気系の各種選択可能。樹脂装飾用から電子部品量産の電極形成まで実績豊富な独自機構で対応
φ750から最大φ1000まで基板寸法と生産量に合わせて最適な処理量と蒸発源等各種機構が選択できます。
イオンプレーティング機構の追加により膜の密着力の向上と反応性生成膜の形成が可能
窒化膜、酸化膜、高密着性電極膜等スパッタよりハイレートで低ダメージの薄膜形成が可能
イオンプレーティング機構の追加により膜の密着力の向上と反応性生成膜の形成が可能
窒化膜、酸化膜、高密着性電極膜等スパッタよりハイレートで低ダメージの薄膜形成が可能
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型番・ブランド名 | AAH-C1075SR |
用途/実績例 |
水晶振動子電極形成 薄膜抵抗 電極 端面電極抵抗膜形成 ディスクリートIC電極(裏面電極・メッキシード膜形成) サーマルプリントヘッド電極・保護膜形成 |
関連ダウンロード
横型蒸着装置
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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神港精機株式会社 東京支店